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器件制備流程圖
斯達半導獲得發(fā)明專利授權：一種超級結IGBT半元胞結構、器件及制備方法”

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斯達半導體獲準發(fā)明了一種新型的超級結IGBT半元胞結構及其制備技術，這是業(yè)界熱議背后的科技創(chuàng)新在半導體技術的快速發(fā)展浪潮中，一個沉重的消息在業(yè)界引起了熱烈的討論——斯達半導體成功地獲得了一項發(fā)明專利授權，稱為“超...

閱讀全文 由pikaqiu12發(fā)布pikaqiu12 32 次瀏覽 2025-04-26 科技
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